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参数目录40224
> NP161N04TUG-E1-AY MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7
型号:
NP161N04TUG-E1-AY
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Renesas Electronics America
描述:
MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
NP161N04TUG-E1-AY PDF
标准包装
800
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
160A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
1.8 毫欧 @ 80A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
345nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
20250pF @ 25V
功率 - 最大
1.8W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片)
供应商设备封装
TO-263-7
包装
带卷 (TR)
查看NP161N04TUG-E1-AY代理商
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